MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法

范围  本标准规定了MEMS高深宽比结构深度光谱反射测量的测量原理、测量设备、测量要求、测量方法、测量结果的不确定度评定、合成相对不确定度评定、扩展相对不确定度评定以及测试报告等内容。本标准适用于多种半导体材料上MEMS高深宽比刻蚀结构的深度测量。刻蚀结构包括但不限于单独和阵列的沟槽、柱和孔等。

参与单位  中国科学院微电子研究所、中关村光电产业协会、天津大学、北京绿色制造产业联盟、凌云光技术股份有限公司、北京大学、中国计量科学研究院、北京总部企业协会。